北京合能阳光新能源技术有限公司

SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的首选半导体材料。然而生长优质的SiC单晶非常困难，其中第一要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。

合能阳光提供的SiC晶种，可充分满足不同需求的客户，优质的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了可靠的保障。